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厂商型号

KSA928AYBU 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT PNP Epitaxial Sil

内部编号

3-KSA928AYBU

#1

数量:17149
1+¥1.0017
25+¥0.9246
100+¥0.8475
500+¥0.8475
1000+¥0.7705
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:17149
1+¥1.0017
25+¥0.9246
100+¥0.8475
500+¥0.8475
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KSA928AYBU产品详细规格

规格书 KSA928AYBU datasheet 规格书
KSA928A
KSA928AYBU datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 500
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 2V @ 30mA, 1.5A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 160 @ 500mA, 2V
功率 - 最大 1W
频率转换 120MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供应商器件封装 TO-92L
包装材料 Bulk
集电极最大直流电流 2
最低工作温度 -55
安装 Through Hole
Maximum Transition Frequency 120(Typ)
包装宽度 3.9
PCB 3
最大功率耗散 1000
类型 PNP
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 30
最大集电极发射极电压 30
供应商封装形式 TO-92L
标准包装名称 TO-92
最高工作温度 150
包装长度 4.9
引脚数 3
最小直流电流增益 160@500mA@2V
包装高度 8
最大基地发射极电压 5
封装 Bulk
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 2A
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 120MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 2V @ 30mA, 1.5A
标准包装 500
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
供应商设备封装 TO-92L
功率 - 最大 1W
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 Long Body
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 160 @ 500mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 500
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO - 5 V
零件号别名 KSA928AYBU_NL
安装风格 Through Hole
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
直流集电极/增益hfe最小值 100
直流电流增益hFE最大值 320
单位重量 0.006526 oz
集电极 - 发射极最大电压VCEO - 30 V
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
集电极 - 发射极饱和电压 - 2 V
集电极最大直流电流 2 A
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 - 2 A
增益带宽产品fT 120 MHz
最大功率耗散 1 W
集电极 - 基极电压VCBO - 30 V
最低工作温度 - 55 C

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